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產(chǎn)品名稱: 英飛凌IGBT模塊 FS75R12KT3 75A 1200V
產(chǎn)品類型: 英飛凌IGBT
產(chǎn)品型號(hào): FS75R12KT3
發(fā)布時(shí)間: 2018-09-29
- 產(chǎn)品描述
詳細(xì)參數(shù)
制造商: 英飛凌
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極射極飽和電壓: 2.15 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 105 A
柵極射極漏泄電流: 400 nA
功率耗散: 355 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
高度: 17 mm
長(zhǎng)度: 107.5 mm
寬度: 45 mm
柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
包裝數(shù)量: 10只
SOx故障輸出的應(yīng)用
SOx故障輸出端有20mA的驅(qū)動(dòng)能力。與主控制器的距離越長(zhǎng)，SOx線路對(duì)EMC越敏感，因?yàn)槠胀刂破鬏斎氲淖杩贡容^高。
如果未檢測(cè)到故障狀況，SOx輸出為高阻抗。因此，很容易有電壓尖峰被感應(yīng)出來。
下圖（上圖）中將上拉電阻R4放置在SOx線路末端靠近控制器的一側(cè)的方案是不推薦的。下圖中顯示的兩種解決方案（中圖和下圖）可以解決這個(gè)問題：
1.將緩沖器按照下圖（中圖）放置在靠近驅(qū)動(dòng)器SOx端子的位置。建議使用R4>1k?的上拉電阻上拉至VCC。如果發(fā)生故障，相應(yīng)的SOx輸出將被拉到GND。
建議將該電阻放置得盡可能靠近驅(qū)動(dòng)器。圖中100?電阻可保護(hù)緩沖器免受電磁干擾。下拉電阻R5可保護(hù)控制器輸入免受電壓尖峰影響。
2.在下圖（下圖）中，由10?電阻和肖特基二極管構(gòu)成的保護(hù)網(wǎng)絡(luò)可保護(hù)驅(qū)動(dòng)器的SOx輸出。
IGBT4代芯片技術(shù)-小結(jié)
1.基于溝槽柵+場(chǎng)終止結(jié)構(gòu)，1200V和1700V。
2.1200V三種類型：小功率T4、中功率E4、大功率P4。
3.1700V兩種類型：中功率E4、大功率P4。
4.P4實(shí)現(xiàn)軟關(guān)斷特性的明顯提升，關(guān)斷時(shí)電壓尖峰小，無振蕩。
5.T4和E4提高關(guān)斷速度，開關(guān)頻率較高時(shí)輸出能力優(yōu)于T3和E3。
6.配用反向恢復(fù)特性更“軟”的EmCon4續(xù)流二極管。
7.飽和電壓正溫度系數(shù)，10μs短路承受時(shí)間不變。
- 其他產(chǎn)品
