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產(chǎn)品名稱: 英飛凌電源管理IGBT FZ1500R33HE3 1500A 3300V
產(chǎn)品類型: 英飛凌IGBT
產(chǎn)品型號: FZ1500R33HE3
發(fā)布時間: 2018-09-15
- 產(chǎn)品描述
此款電源管理模塊 FZ1500R33HE3IGBT 的轉(zhuǎn)移特性是
指輸出漏極電流 Id 與柵源電壓 Ugs 之間的 關(guān)系曲線。它與 MOSFET 的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵源電壓小于開啟電 壓 Ugs(th) 時， IGBT 處于關(guān)斷狀 態(tài)。在 IGBT 導(dǎo)通后的大部分漏極電 流范圍內(nèi)， Id 與 Ugs 呈線性關(guān)系。最高柵源電 壓受最大漏極電流限 制，其最佳值一般取為 15V 左右。 IGBT 的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。 IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時，由于 它的 PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其 B 值 極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，但 流過 MOSFET 的電流成為 IGBT 總電流的主要部分。此時，通態(tài)電壓 Uds(on) 可用下 式表示 Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh （ 2 － 14 ） 式中 Uj1 —— JI 結(jié)的正向電壓，其值為 0.7 ～ IV ； Udr ——擴展電阻 Rdr 上的壓降； Roh ——溝道電阻。 通態(tài)電流 Ids 可用下式表示： Ids=(1+Bpnp)Imos (2 － 15 ） 式中 Imos ——流過 MOSFET 的電流。由于 N+ 區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，所以 IGBT 的通態(tài)壓降小，耐壓 1000V 的 IGBT 通態(tài)壓降為 2 ～ 3V 。 IGBT 處于斷態(tài)時，只有很小的泄漏電流存在。 2 ．動態(tài)特性 IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為 MOSFET 來運行的，只是在 漏源電壓 Uds 下降過程后期， PNP 晶體 管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時間。 td(on) 為開通延遲時間， tri 為電流上升時間。實際應(yīng)用中常給出的漏極電流開通時間 ton 即為 td (on) tri 之和。漏源電壓的下降時間由 tfe1 和 tfe2 組成，IGBT 在關(guān)斷過程中，漏極電流的波形變?yōu)閮啥?。因?MOSFET 關(guān)斷后， PNP 晶體 管的存儲電荷難以迅速消除，造成漏極電流較長的尾部時間， td(off) 為關(guān)斷延遲時間， trv 為電壓 Uds(f) 的上升時間。實際應(yīng)用中常常給出的漏極電流的下降時間 Tf 由圖 2 － 59 中的 t(f1) 和 t(f2) 兩段組成，而漏極電流的關(guān)斷時間
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