MOSFET測(cè)試方法：

如果知道FET的類型和針腳，用萬(wàn)用表測(cè)量G（柵極）和S（源）之間沒(méi)有PN結(jié)電阻，G和D（漏極）之間沒(méi)有PN結(jié)電阻，表明管損壞。萬(wàn)用表的R*1KOH檔分別與場(chǎng)效應(yīng)管的S極和D極相連，表面棒用手接觸管極和G極。如果針不動(dòng)，管子就不好；如果針比較大。振蕩表明管道可用。

另外：1.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管與絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的區(qū)別

（1）區(qū)分包裝

由于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的柵極易被擊穿和損壞，插腳通常短路或用金屬箔包裹，而結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管在包裝上沒(méi)有特殊要求。

（2）測(cè)量指針式萬(wàn)用表的電阻。

用萬(wàn)用表的“R*LK”或“R*100”檔測(cè)量G、S腳之間的電阻和N結(jié)的正負(fù)電阻。管子是節(jié)管。

2。用萬(wàn)用表電阻鑒別結(jié)場(chǎng)效應(yīng)管腳

一般采用R*1K或R*100檔進(jìn)行測(cè)量。當(dāng)選擇兩個(gè)管腳時(shí)，正確和反向電阻相同（均為數(shù)千歐元），兩個(gè)電極為D和S電極（在使用中可互換），其余電極相同。

由于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管在測(cè)量中容易損壞，一般建議在不使用該方法識(shí)別管腳的情況下查閱手冊(cè)。

檢測(cè)IGBT模塊好壞的簡(jiǎn)單方法：

1。要判斷極性，首先將萬(wàn)用表設(shè)置在R*1K，用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí)，如果一個(gè)極和另一個(gè)極的電阻為無(wú)窮大，更換表筆后，極和另一個(gè)極的電阻仍為無(wú)窮大，則判斷極的柵極（G）。其他兩極用萬(wàn)用表測(cè)量。如果測(cè)得的電阻為無(wú)窮大，則更換筆后測(cè)得的電阻很小。當(dāng)電阻較小時(shí)，判斷紅色表筆連接為集電極（C），黑色表筆連接為發(fā)射極（E）。

2。判斷是好是壞，將萬(wàn)用表置于R*10kQ檔，用黑筆連接IGBT的集電極（C），用紅筆連接IGBT的正時(shí)桿（E）。此時(shí)萬(wàn)用表指針為零。同時(shí)用手指觸摸下柵極（G）和集電極（C），觸發(fā)并打開(kāi)手動(dòng)GBT。萬(wàn)用表指針向電阻較小的方向擺動(dòng)，可由站在某一位置指示。然后用手指同時(shí)觸摸柵極（G）和發(fā)射極（E），然后IGBT被阻斷，萬(wàn)用表指針回到零位。此時(shí)，可以判斷IGBT是好的。

三。請(qǐng)注意，任何指針式萬(wàn)用表電鈴都可以用來(lái)檢測(cè)IGBT。在判斷IGBT的質(zhì)量時(shí)，必須將萬(wàn)用表置于R*IOK塊中。由于R*ikq以下的萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓過(guò)低，檢測(cè)到質(zhì)量時(shí)無(wú)法打開(kāi)IGBT，無(wú)法判斷IGBT的質(zhì)量。該方法也可用于功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（P-MOSFET）的質(zhì)量檢測(cè)。

以兩個(gè)單位為例：模擬萬(wàn)用表測(cè)量

靜態(tài)測(cè)量：將萬(wàn)用表置于倍率100，測(cè)量黑色表筆連接1個(gè)端子，紅色表筆連接2個(gè)端子，顯示電阻應(yīng)無(wú)窮大；

顯示器的阻力應(yīng)該在400歐元左右。同樣，黑色表筆連接3個(gè)端子，紅色表筆連接1個(gè)端子。

顯示電阻應(yīng)為無(wú)窮大，調(diào)整筆時(shí)，顯示電阻應(yīng)約為400歐姆。如果上述情況得到滿足，則表明IGBT的兩個(gè)單元沒(méi)有明顯的故障。

動(dòng)態(tài)測(cè)試：萬(wàn)用表檔位在10公里，用黑筆連接4個(gè)端子，用紅筆連接5個(gè)端子，用紅筆連接3個(gè)端子，用黑筆連接1個(gè)端子。此時(shí)電阻應(yīng)為300-400拍，調(diào)整筆的電阻也有300-400拍左右，說(shuō)明IGBT單元是完美的。

用同樣的方法對(duì)1號(hào)和2號(hào)端子之間的IGBT進(jìn)行測(cè)試，如果滿足上述條件，則表明IGBT也完好無(wú)損。

將萬(wàn)用表置于R*10K塊內(nèi)，用黑筆接IGBT的漏極（D），用紅筆接IGBT的源。此時(shí)，萬(wàn)用表指針指向無(wú)窮遠(yuǎn)。當(dāng)手指同時(shí)接觸柵極（G）和漏極（D）時(shí)，IGBT被觸發(fā)并打開(kāi)。萬(wàn)用表指針向電阻較小的方向擺動(dòng)，能在一定的位置上站立和指示。然后用手指同時(shí)觸摸源極和柵極，然后IGBT被阻斷，萬(wàn)用表指針?lè)祷責(zé)o窮遠(yuǎn)。此時(shí)，可以判斷IGBT是好的。

igbt模塊測(cè)量注意事項(xiàng)：

1。為了便于測(cè)量，直接從驅(qū)動(dòng)板上拔出C、G、E。

2。進(jìn)入第二次測(cè)量時(shí)，發(fā)射極（E）和柵極（G）應(yīng)短接。

三。如果用指針式萬(wàn)用表判斷IGBT是好是壞，則必須將萬(wàn)用表設(shè)置在R*10K塊內(nèi)。由于R*1K塊以下的萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低，測(cè)試好壞時(shí)無(wú)法打開(kāi)IGBT，無(wú)法判斷IGBT好壞。

4。使用指針式萬(wàn)用表時(shí)，黑色表筆對(duì)應(yīng)電源正極，紅色表筆對(duì)應(yīng)負(fù)極。因此，在測(cè)量IGBT時(shí)，測(cè)量端與數(shù)字表相對(duì)。