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產(chǎn)品名稱: 英飛凌IGBT模塊 FS75R12KE3 75A 1200V
產(chǎn)品類型: 英飛凌IGBT
產(chǎn)品型號(hào): FS75R12KE3
發(fā)布時(shí)間: 2018-09-30
- 產(chǎn)品描述
詳細(xì)參數(shù)
制造商: 英飛凌
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極射極飽和電壓: 1.7 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 105 A
柵極射極漏泄電流: 400 nA
功率耗散: 350 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
高度: 17 mm
長(zhǎng)度: 107.5 mm
寬度: 45 mm
柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
包裝數(shù)量: 10只
VEx的端特性
VEx與發(fā)射極電位相對(duì)應(yīng)。它是SCALE-2 的ASIC內(nèi)部生成的電位。在正常工作期間，引腳VISOx和VEx之間的電壓可被穩(wěn)定在+15V的額定值。
這通過(guò)SCALE-2的副邊ASIC IGD的內(nèi)部電流源和電壓測(cè)量來(lái)實(shí)現(xiàn)。它的最大拉電流/灌電流能力限制在±2.5mA，以避免ASIC在工作期間過(guò)熱。
如果VISOx和COMx之間的副邊電壓開始下降，首先VISOx和VEx的電壓差仍被穩(wěn)定在15V，而VEx和COMx之間的電壓則繼續(xù)下降，并最多可降低至5.5V。
如果VISOx至COMx的電壓仍然繼續(xù)降低，則VEx至COMx的電壓會(huì)被穩(wěn)定在5.5V，且VISOx至VEx的電壓開始降低。此功能可確保驅(qū)動(dòng)器即使在電源欠壓的情況下也能正確關(guān)斷IGBT。
在VISOx和VEx之間或VEx和COMx之間不應(yīng)施加靜態(tài)負(fù)載，以免干擾VISOx和VEx之間的+15V穩(wěn)壓。如有必要，可在VISOx和COMx之間施加靜態(tài)負(fù)載（例如，用于外部電子功能的電源負(fù)載）。
下圖舉例說(shuō)明了這種情況。
驅(qū)動(dòng)與保護(hù)：箝位，DVRC
.門極箝位：用肖特基二極管和電源電壓將Vge限在15V，限制短路電流。
.有源米勒箝位：利用附加晶體管的導(dǎo)通吸收由米勒電容和dv/dt產(chǎn)生的門極電流，保證0V關(guān)斷的可靠性。
.有源箝位：檢測(cè)Vce，延緩IGBT關(guān)斷，限制di/dt和電壓尖峰。
.DVRC：檢測(cè)dv/dt，延緩IGBT的關(guān)斷，限制di/dt和電壓尖峰。
- 其他產(chǎn)品
