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產(chǎn)品名稱: 英飛凌IGBT模塊 FS100R12KT3 100A 1200V
產(chǎn)品類型: 英飛凌IGBT
產(chǎn)品型號: FS100R12KT3
發(fā)布時間: 2018-09-29
- 產(chǎn)品描述
詳細(xì)參數(shù)
制造商: 英飛凌
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 140 A
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
封裝: Tray
高度: 17 mm
長度: 122 mm
寬度: 62 mm
柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
包裝數(shù)量: 10只
提升輸入信號INA和INB的抗噪聲性能
典型情況下，當(dāng)INA/INB升高到大約2.6V的閾值電壓時，所有SCALE-2驅(qū)動核將會開啟相應(yīng)的通道。
而關(guān)斷閾值電壓大約為1.3V。因此，回差為1.3V。在有些噪聲干擾很嚴(yán)重的應(yīng)用中，升高輸入閾值電壓有助于避免錯誤的開關(guān)行為。
為此，按照下圖在盡可能靠近驅(qū)動核的位置放置分壓電阻R2和R3。確保分壓電阻R2和R3與驅(qū)動器之間的距離盡可能小對于避免在PCB上引起干擾至關(guān)重要。
舉例：在開通瞬間，假設(shè)R2=3.3k?，R3=1k?，INA=+15V。在沒有R2和R3的情況下，INA達(dá)到2.6V后驅(qū)動器立即導(dǎo)通。
分壓網(wǎng)絡(luò)可將開通閾值電壓升高至大約11.2V，關(guān)斷閾值電壓則提升至大約5.6V。在此例中，INA和INB信號的驅(qū)動器在IGBT導(dǎo)通狀態(tài)下必須持續(xù)提供3.5mA的電流。
IGBT 4代模塊概念：在開關(guān)工作條件下，IGBT4模塊的最高允許結(jié)溫規(guī)格為 150°C，比IGBT3/IGBT2模塊（1200V和1700V）的規(guī)格提高了25°C！
出發(fā)點(diǎn)：適應(yīng)芯片小型化（Rthjc?，?Tjc[=PLoss×Rthjc]?）
實(shí)現(xiàn)：IGBT4模塊內(nèi)部焊線工藝的改進(jìn)
可靠性因素：焊線工藝決定了模塊的可靠性指標(biāo)之一-功率循環(huán)（PC）次數(shù)。PC次數(shù)與結(jié)溫有關(guān)，在相同的結(jié)溫擺幅下，結(jié)溫越高，PC次數(shù)越低。
要提高結(jié)溫規(guī)格，必須改進(jìn)焊線工藝，才能保證模塊用于更高的結(jié)溫時，其PC次數(shù)（使用壽命）不減。
結(jié)果：
1.IGBT4模塊的可靠性（PC次數(shù)）大幅增加
2.IGBT4模塊的電流輸出能力增大（應(yīng)用功率）
3.以較小的封裝尺寸實(shí)現(xiàn)相同的電流規(guī)格（功率密度）
- 其他產(chǎn)品
