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詳細參數(shù)

制造商: 英飛凌 

產(chǎn)品種類: IGBT 模塊 

集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1700 V 

集電極射極飽和電壓: 2.45 V 

在25 C的連續(xù)集電極電流: 375 A 

柵極射極漏泄電流: 400 nA 

功率耗散: 1650 W 

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 125 C 

封裝: Tray 

高度: 17 mm  

長度: 162 mm  

寬度: 150 mm   

柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V  

包裝數(shù)量: 4只

IGBT 的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流 Id 與柵源電壓 Ugs 之間的 關(guān)系曲線。它與 MOSFET 的轉(zhuǎn)移特性相同，當柵源電壓小于開啟電 壓 Ugs(th) 時， IGBT 處于關(guān)斷狀 態(tài)。在 IGBT 導通后的大部分漏極電 流范圍內(nèi)， Id 與 Ugs 呈線性關(guān)系。最高柵源電 壓受最大漏極電流限 制，其最佳值一般取為 15V 左右。 IGBT 的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。 IGBT 處于導通態(tài)時，由于 它的 PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其 B 值 極低。盡管等效電路為達林頓結(jié)構(gòu)，但 流過 MOSFET 的電流成為 IGBT 總電流的主要部分。此時，通態(tài)電壓 Uds(on) 可用下 式表示 Uds(on) ＝ Uj1 ＋ Udr ＋ IdRoh （ 2 － 14 ） 式中 Uj1 —— JI 結(jié)的正向電壓，其值為 0.7 ～ IV ； Udr ——擴展電阻 Rdr 上的壓降； Roh ——溝道電阻。 通態(tài)電流 Ids 可用下式表示： Ids=(1+Bpnp)Imos (2 － 15 ） 式中 Imos ——流過 MOSFET 的電流。

由于 N+ 區(qū)存在電導調(diào)制效應，所以 IGBT 的通態(tài)壓降小，耐壓 1000V 的 IGBT 通態(tài)壓降為 2 ～ 3V 。