英飛凌igbt銷售
產(chǎn)品中心
最新資訊
聯(lián)系我們
產(chǎn)品名稱: 英飛凌IGBT模塊 FS225R17KE3 225A 1700V
產(chǎn)品類型: 英飛凌IGBT
產(chǎn)品型號(hào): FS225R17KE3
發(fā)布時(shí)間: 2018-09-21
- 產(chǎn)品描述
詳細(xì)參數(shù)
制造商: 英飛凌
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1700 V
集電極射極飽和電壓: 2 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 340 A
柵極射極漏泄電流: 400 nA
功率耗散: 1.4 kW
封裝箱體: EconoPACK+
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
高度: 17 mm
長度: 162 mm
寬度: 150 mm
柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
包裝數(shù)量: 4只
IGBT 處于斷態(tài)時(shí)，只有很小的泄漏電流存在。 2 ．動(dòng)態(tài)特性 IGBT 在開通過程中，大部分時(shí)間是作為 MOSFET 來運(yùn)行的，只是在 漏源電壓 Uds 下降過程后期， PNP 晶體 管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時(shí)間。 td(on) 為開通延遲時(shí)間， tri 為電流上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中常給出的漏極電流開通時(shí)間 ton 即為 td (on) tri 之和。漏源電壓的下降時(shí)間由 tfe1 和 tfe2 組成，如下圖所示
IGBT 的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給 PNP 晶體管提供基極電流，使 IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，流過反向基極電流，使 IGBT 關(guān)斷。 IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和 MOSFET 基本相同，只需控制輸入極 N 一溝道 MOSFET ，所以具有高輸 入阻抗特性。 當(dāng) MOSFET 的溝道形成后，從 P+ 基極注入到 N 一層的空穴（少子），對(duì) N 一 層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小 N 一層的電阻，使 IGBT 在高電壓 時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。 IGBT 的工作特性包括靜態(tài)和動(dòng)態(tài)兩類： 1．靜態(tài)特性 IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和 開關(guān)特性。 IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓 Ugs 為參變量時(shí)，漏極電流與 柵極電壓之間的關(guān) 系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓 Ugs 的控 制， Ugs 越高， Id 越大。它與 GTR 的 輸出特性相似．也可分為飽和 區(qū) 1 、放大區(qū) 2 和擊穿特性 3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的 IGBT ，正向電 壓由 J2 結(jié)承擔(dān)，反向電壓由 J1 結(jié)承擔(dān)。如果無 N+ 緩沖區(qū)，則正 反 向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入 N+ 緩沖區(qū)后，反向關(guān)斷電壓只 能達(dá)到幾十 伏水平，因此限制了 IGBT 的某些應(yīng)用范圍。
- 其他產(chǎn)品
