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產(chǎn)品名稱: 英飛凌IGBT模塊 FS150R12KT3 150A 1200V
產(chǎn)品類型: 英飛凌IGBT
產(chǎn)品型號(hào): FS150R12KT3
發(fā)布時(shí)間: 2018-09-29
- 產(chǎn)品描述
詳細(xì)參數(shù)
制造商: 英飛凌
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極射極飽和電壓: 2.15 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 200 A
柵極射極漏泄電流: 400 nA
功率耗散: 700 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
高度: 17 mm
長(zhǎng)度: 122 mm
寬度: 62 mm
柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
包裝數(shù)量: 10只
輸入信號(hào)INA和INB的窄脈沖抑制
SCALE-2驅(qū)動(dòng)器的信號(hào)傳輸延遲極短，通常小于90ns。其中包括35ns的窄脈沖抑制時(shí)間。
這樣可以避免可能存在的EMI問題導(dǎo)致的門極誤觸發(fā)。下圖舉例說明了在SCALE-2內(nèi)部窄抑制時(shí)間不夠長(zhǎng)的情況下如何增大最小脈沖抑制時(shí)間。
下圖顯示不建議直接將RC網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用于INA或INB，因?yàn)閭鬏斞舆t的抖動(dòng)會(huì)顯著升高。建議使用施密特觸發(fā)器以避免這種缺點(diǎn)。
請(qǐng)注意，如果同時(shí)使用直接并聯(lián)與最小脈沖抑制，建議在施密特觸發(fā)器后將驅(qū)動(dòng)器的輸入INA/INB并聯(lián)起來。
建議在直接并聯(lián)應(yīng)用中不要為每個(gè)驅(qū)動(dòng)核單獨(dú)使用施密特觸發(fā)器，因?yàn)槭┟芴赜|發(fā)器的延遲時(shí)間的誤差可能會(huì)較高，導(dǎo)致IGBT換流時(shí)動(dòng)態(tài)均流不理想。
R1/C1與15V供電的施密特觸發(fā)器CD40106的組合可實(shí)現(xiàn)最小脈沖抑制。
例如，如果開通電平為10V，關(guān)斷電平為5V，則施密特觸發(fā)器輸入回差為5V。
如果INx以15V邏輯電平開通，電容C1將通過R1充電，當(dāng)C1兩側(cè)的電壓達(dá)到10V時(shí)，施密特觸發(fā)器將會(huì)翻轉(zhuǎn)。
如果Inx下降（關(guān)斷指令），且電容C1兩側(cè)的電壓低于5V時(shí)，施密特觸發(fā)器將會(huì)翻轉(zhuǎn)。在示例中，我們使用了兩個(gè)施密特觸發(fā)器非門，因此輸入信號(hào)不需要取反。
副邊穩(wěn)壓電路的介紹
驅(qū)動(dòng)器原方的供電為+15V，經(jīng)過DC/DC處理后得到+25V，這個(gè)電壓是開環(huán)的，這意味著，如果原方+15V波動(dòng)，這個(gè)+25V也會(huì)波動(dòng)。
SCALE-2副邊的ASIC將+25V分割成+15V及-10V，其中+15V是被穩(wěn)壓的，這是一個(gè)閉環(huán)電路，如果Viso與VE之間的電壓不是+15V，則內(nèi)部電流會(huì)調(diào)整使得輸出電壓穩(wěn)定在+15V；而-10V則是開環(huán)的，是不穩(wěn)壓的。
VE管腳是芯片“造”出來的，內(nèi)部是靠電流源來控制輸出的電壓源。Viso是+15V，VE是0V，COM是-10V。這種穩(wěn)壓的方法與常見的用穩(wěn)壓二極管或者三端穩(wěn)壓電壓電路是完全不同的。
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