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產(chǎn)品名稱: 英飛凌IGBT模塊 BSM300GB120DLC 300A 1200V
產(chǎn)品類型: 英飛凌IGBT
產(chǎn)品型號: BSM300GB120DLC
發(fā)布時(shí)間: 2018-09-29
- 產(chǎn)品描述
詳細(xì)參數(shù)
制造商: 英飛凌
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 625 A
柵極射極漏泄電流: 400 nA
功率耗散: 2500 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
高度: 30.5 mm
長度: 106.4 mm
寬度: 61.4 mm
柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
包裝數(shù)量: 10只
使用二極管檢測的退飽和保護(hù)
SCALE-2技術(shù)還可利用高壓二極管實(shí)現(xiàn)退飽和保護(hù)，如下圖所示。但是，與使用電阻相比，使用高壓二極管有一些劣勢：
1與集電極-發(fā)射極電壓的變化率dvce/dt相關(guān)的共模電流：高壓二極管的結(jié)電容Cj很大。這些電容與dvce/dt共同作用產(chǎn)生了流進(jìn)和流出測量電路的共模電流Icom。
2市場價(jià)格：高壓二極管比標(biāo)準(zhǔn)0805/150V或1206/200V SMD電阻器價(jià)格更貴。
3可獲得性：從市場上采購標(biāo)準(zhǔn)厚膜電阻相對更方便一些。
4穩(wěn)定性有限：在較低的VCE水平下反應(yīng)時(shí)間不會增大。然而，在較高IGBT溫度、較高集電極電流、諧振開關(guān)操作或相移PWM的情況下可能會發(fā)生保護(hù)動作被錯(cuò)誤觸發(fā)，特別是參考電壓Vthx設(shè)置為大約10V以下的值時(shí)。
參考電壓的上限被限制為大約10V，這可能會造成IGBT利用率有限：集電極電流可能會被限制在兩倍額定電流以內(nèi)的值，或者短路耐受能力將會降低。
在IGBT關(guān)斷狀態(tài)期間，D4（和Rax）將VCEx引腳設(shè)置為COMx電位，從而將電容Cax預(yù)充電/放電到負(fù)電源電壓，該電壓相對于VEx大約為-10V。
在IGBT導(dǎo)通時(shí)，電容Cax通過Rax充電。當(dāng)IGBT集電極電位降低到某一水平時(shí)，Cax的電壓被高壓二極管D1和D2限制住。
正向恢復(fù)效應(yīng)與器件的關(guān)系
在這里我們不討論產(chǎn)生二極管正向恢復(fù)現(xiàn)象的原因，不過可以這樣認(rèn)為，這是半導(dǎo)體器件的固有的屬性。
絕大多數(shù)情況下，正向恢復(fù)效應(yīng)不會產(chǎn)生什么問題，所以通常很少被討論。關(guān)于這個(gè)效應(yīng)，有幾個(gè)特點(diǎn)需要注意：
1. 二極管溫度越高時(shí)，正向恢復(fù)效應(yīng)越強(qiáng)烈，幅值及時(shí)間都會較長。
2. 電壓越高，電流越大的器件，正向恢復(fù)效應(yīng)越強(qiáng)。
3. 不同品牌的器件 不同品牌的器件，即使是同 電壓或電流等級 一電壓或電流等級，正向恢復(fù)效應(yīng)程度也許會有所不同。
- 其他產(chǎn)品
