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產(chǎn)品名稱: 英飛凌IGBT模塊 FF150R12KS4 150A 1200V
產(chǎn)品類型: 英飛凌IGBT
產(chǎn)品型號(hào): FF150R12KS4
發(fā)布時(shí)間: 2018-09-29
- 產(chǎn)品描述
詳細(xì)參數(shù)
制造商: 英飛凌
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極射極飽和電壓: 3.2 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 225 A
柵極射極漏泄電流: 400 nA
功率耗散: 1.25 kW
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
高度: 30.5 mm
長(zhǎng)度: 106.4 mm
寬度: 61.4 mm
柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
包裝數(shù)量: 10只
使用電阻的退飽和保護(hù)
集電極檢測(cè)回路必須按照?qǐng)D8和9中顯示的電路連接到IGBT集電極或MOSFET漏極，以檢測(cè)IGBT或MOSFET過(guò)流或短路。
在IGBT關(guān)斷狀態(tài)下，驅(qū)動(dòng)器的內(nèi)部MOSFET將引腳VCEx連接到引腳COMx。然后，電容Cax被預(yù)充電/放電至負(fù)電
源電壓，該電容電壓（下圖中的紅圈）相對(duì)于VEx大約為-10V。在這段時(shí)間內(nèi)，電流通過(guò)電阻網(wǎng)絡(luò)和二極管
BAS416從集電極（下圖中的藍(lán)圈）流向VISOx。此電流受電阻串限制。
建議設(shè)置Rvcex的電阻值，以使Rvcex流過(guò)大約為IRvcex=0.6-1mA的電流（例如，VDC-LINK電壓為1200V時(shí)，設(shè)置為1.2-1.8M?）。
可以使用高壓電阻以及多電阻串聯(lián)。在任何情況下，都應(yīng)考慮與應(yīng)用相關(guān)的最小爬電距離。
參考電壓通過(guò)電阻Rthx設(shè)置。它通過(guò)參考電流（典型值為150uA）和參考電阻Rthx（下中的綠圈）計(jì)算得出 。
CONCEPT建議使用Rthx=68k?來(lái)檢測(cè)短路。較低的電阻值可使系統(tǒng)更加靈敏，然而在IGBT發(fā)生退飽和（短路）時(shí)卻不會(huì)帶來(lái)任何優(yōu)勢(shì)。
在IGBT打開(kāi)且處于導(dǎo)通狀態(tài)下時(shí)，上述MOSFET關(guān)閉。隨著VCE降低（下中的藍(lán)色曲線），Cax電勢(shì)從COMx被充電至IGBT飽和電壓（下中的紅色曲線所示）。
Cax充電所需的時(shí)間取決于直流母線電壓、電阻值Rax和電容值Cax。對(duì)于1200V和1700V IGBT，建議設(shè)置Rax=120k?。
對(duì)于600V IGBT，建議值為Rax=62k?。相應(yīng)的短路響應(yīng)時(shí)間在對(duì)應(yīng)的應(yīng)用手冊(cè)中已被給出，該響應(yīng)時(shí)間所對(duì)應(yīng)的短路情形所指的最低母線電壓大約為25V*Rvcex/Rax。
請(qǐng)注意，短路響應(yīng)時(shí)間將會(huì)隨著直流母線電壓的降低而增大，而IGBT在短路情況下耗散的能量則通常保持在相同水平甚至更低。
IGBT的續(xù)流二極管的反向恢復(fù)效應(yīng)被人們所熟知，而這種而這種二極管其實(shí)也存在正向恢復(fù)效應(yīng)。
正向恢復(fù)效應(yīng)發(fā)生的時(shí)刻：正向恢復(fù)發(fā)生在二極管開(kāi)通的時(shí)刻，在下管IGBT關(guān)斷的瞬間，IGBT的電流就要轉(zhuǎn)移到上管的續(xù)流二極管，在這一瞬間，上管的二極管發(fā)生正向恢復(fù)過(guò)程。
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