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基本參數(shù)

制造商: 英飛凌

產(chǎn)品種類: IGBT 模塊  

集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1700 V 

集電極射極飽和電壓: 2.6 V 

在25 C的連續(xù)集電極電流: 300 A 

柵極射極漏泄電流: 200 nA 

功率耗散: 1.25 kW 

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 125 C 

高度: 30.5 mm  

長度: 106.4 mm  

寬度: 61.4 mm  

柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V  

包裝數(shù)量: 10只

門極電壓：關斷電壓-Vge或0V

用-Vge（-5V…-15V)使IGBT 關斷更可靠，有利于防止誤 開通。 ? 

用0V關斷，可考慮采用有源 米勒箝位使關斷更可靠（見 后頁“驅(qū)動與保護”）。 ? 

用0V…+15V開關時，門極電 荷較小(以600V IGBT3為例， Qg為-15V…+15V時的40%）， 門極驅(qū)動電流較小。 ? 

用0V關斷時，toff和Eoff較 大（以600V IGBT3為例： toff為-15V時的2-3倍，Eoff 比-15V時增加約10%）。 

注意：Vge規(guī)格-最大允許值 ±20V

門極電阻 ? 

Rg對開通影響大，表現(xiàn)在以下幾個方面： - 開通能耗（Eon） - IGBT的電流尖峰（續(xù)流二極管的反向恢復電流） - dv/dt ?

Rg對關斷影響不明顯，表現(xiàn)在以下幾個方面： - 關斷能耗（Eoff） - di/dt（主要由芯片技術(shù)決定，Rg很大時才有影響） - dv/dt ? 

Rg對開通和關斷延時都有影響

Rg下限：規(guī)格書中的測試條件 ? 

Rg上限：IGBT損耗/發(fā)熱，死區(qū)時間 ? 

功率計算（假設驅(qū)動功耗都消耗在 Rg上）： Pg = ?Vge × Qg × fsw × 2 其中：?Vge = Vcc - Vss Qg = ?Vge/30 × QG QG：見規(guī)格書（-15V…+15V） fsw：開關頻率 ? 

IGBT并聯(lián)時，建議每個IGBT一個Rg （共用一個驅(qū)動器），以減小IGBT 內(nèi)置門極電阻值誤差對開關一致性 的影響。