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2018-09
碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)勢(shì)？
碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)勢(shì)？通過(guò)SiC系列的文《SiC材料到底“cool”在哪里？》，我們了解到了SiC材料本身的卓越性能。那么，使用SiC材料做成 ...
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2018-09
基于.XT技術(shù)進(jìn)行IGBT組件設(shè)計(jì)有哪些需要考慮的方面？
基于.XT技術(shù)進(jìn)行IGBT組件設(shè)計(jì)有哪些需要考慮的方面？隨著變流器廣泛應(yīng)用于風(fēng)力發(fā)電、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車和軌道牽引等領(lǐng)域中，目前越來(lái)越多的變流器研究著眼 ...
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2018-09
用于HEV/EV輔助系統(tǒng)的小功率模塊
用于HEV/EV輔助系統(tǒng)的小功率模塊針對(duì) HEV/EV輔助系統(tǒng)，英飛凌推出了 easy module系列汽車級(jí) IGBT功率模塊，不僅可以有效較低系統(tǒng) ...
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2018-09
英飛凌首款頂部冷卻DDPAK封裝解密
英飛凌首款頂部冷卻DDPAK封裝解密基于SMD的SMPS設(shè)計(jì)能夠支持快速開(kāi)關(guān)，并有助于減少與普通TO-220封裝等長(zhǎng)引線封裝相關(guān)的寄生電感，這帶來(lái)了很 ...
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2018-09
如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動(dòng)芯片？
如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動(dòng)芯片？近年來(lái)，基于寬禁帶材料的器件技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅器件的實(shí)際工程應(yīng)用，受到了越來(lái)越廣泛的關(guān)注。相較傳統(tǒng)的 ...
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2018-09
測(cè)量IGBT開(kāi)關(guān)特性對(duì)電流探頭有哪些要求？
測(cè)量IGBT開(kāi)關(guān)特性對(duì)電流探頭有哪些要求？市面上適用于電力電子領(lǐng)域測(cè)量的電流探頭有許多，根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的對(duì)波形的測(cè)量非常重要。現(xiàn)代的IGBT器件 ...
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2018-09
PT,NPT,FS型IGBT有哪些區(qū)別？
PT,NPT,FS型IGBT有哪些區(qū)別？IGBT的結(jié)構(gòu)多種多樣，但從縱向結(jié)構(gòu)來(lái)看可歸為穿通型，非穿通型。這兩類IGBT的劃分依據(jù)為：臨界擊穿電壓下P ...
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2018-09
018 IGBT 功率模塊常見(jiàn)的失效模式有哪些？
018 IGBT 功率模塊常見(jiàn)的失效模式有哪些？IGBT屬于復(fù)合器件，有MOS器件高速開(kāi)關(guān)和低電壓驅(qū)動(dòng)特點(diǎn)， 可以承受高電壓和大電流，并且關(guān)斷延遲時(shí)間 ...
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2018-09
IGBT驅(qū)動(dòng)電路的一些作用
你對(duì)IGBT了解多少？本文在分析了IGBT驅(qū)動(dòng)條件后，講解了一些常見(jiàn)的IGBT驅(qū)動(dòng)電路并指出各自優(yōu)缺點(diǎn)。歸于經(jīng)驗(yàn)總結(jié)筆者自行設(shè)計(jì)了一種簡(jiǎn)單、實(shí)用的新型 ...
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2018-09
IGBT的未來(lái)市場(chǎng)預(yù)測(cè)與技術(shù)路線
IGBT的未來(lái)市場(chǎng)預(yù)測(cè)與技術(shù)路線在未來(lái)幾年，IGBT市場(chǎng)具有很好的投資價(jià)值。我們預(yù)計(jì)到2022年，全球IGBT市場(chǎng)總量將超過(guò)50億美金，其主要增長(zhǎng)將來(lái) ...