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2018-09
IGBT模塊的損耗
IGBT模塊的損耗
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2018-09
IGBT開關(guān)特性與門極電阻的關(guān)系
IGBT開關(guān)特性與門極電阻的關(guān)系 外部門極電阻RG會(huì)影響IGBT的開 ...
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2018-09
如何選擇IGBT的門極驅(qū)動(dòng)電阻？
如何選擇IGBT的門極驅(qū)動(dòng)電阻？IGBT的開關(guān)特性是通過對(duì)門極電容進(jìn)行充放電來控制的，實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常使用＋15V的正電壓對(duì)IGBT進(jìn)行開通，再由-5V ...
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2018-09
中國(guó)IGBT和國(guó)外有多大差距？
近年媒體的大陸報(bào)道，讓我們知道中國(guó)集成電路離世界先進(jìn)水平還很遠(yuǎn)。但在這里我先說一個(gè)很少被報(bào)道的產(chǎn)業(yè)，中國(guó)也幾乎都依賴進(jìn)口，那就是IGBT等功率元器件。 ...
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2018-09
IGBT的結(jié)構(gòu)與工作原理
IGBT的結(jié)構(gòu)與工作原理IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管是由BJT(雙極型三極管)和 ...
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2018-09
IGBT的結(jié)構(gòu)原理與特性圖解
IGBT的結(jié)構(gòu)原理與特性圖解在IGBT得到大力發(fā)展之前，功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET被用于需要快速開關(guān)的中低壓場(chǎng)合，晶閘管、GTO被用于中高壓領(lǐng)域。MOS ...
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2018-09
IGBT功率模塊的特點(diǎn)，IGBT模塊有什么特點(diǎn)？
igbt模塊簡(jiǎn)介：igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（igbt）構(gòu)成的功率模塊。由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu)，igbt的柵極通過一層氧化膜與 ...