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詳細(xì)參數(shù)

制造商: 英飛凌 

產(chǎn)品種類: IGBT 模塊 

集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1700 V 

集電極射極飽和電壓: 2.6 V 

在25 C的連續(xù)集電極電流: 1300 A 

柵極射極漏泄電流: 400 nA 

功率耗散: 6.25 W 

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 125 C 

封裝: Tray 

高度: 38 mm  

長度: 140 mm  

寬度: 130 mm   

柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V  

包裝數(shù)量: 2只

驅(qū)動及吸收電路對 IGB T 開關(guān)過程的影響 筆者在進(jìn)行開關(guān)電源設(shè)計(jì)時(shí) ,使用了如圖 1 所示的主電 路。

　在下圖所示主電路中 ,對驅(qū)動及吸收參數(shù)進(jìn)行了不同的選 擇試驗(yàn) ,即對 RG、RX、CX 的取值進(jìn)行了不同的選擇 ,以下對幾 種選擇試驗(yàn)情況分別說明。 (1) 驅(qū)動較快 ,吸收較輕 ,驅(qū)動負(fù)壓較小 取 RG 值較小 ,RX 值較大 ,CX 值較小。試驗(yàn)過程中 ,先不 加主電路中的 V2 ,使控制及驅(qū)動電路正常輸出 ,然后再使 V2 從 0 逐漸升高 ,并隨時(shí)觀察 IGB T 的 GE 間波形 ,我們發(fā)現(xiàn)其 GE 間的波形隨 V2 的變化而有所變化。 IGB T 的 GE 間波形在其同一橋臂的另一只管子開通時(shí)產(chǎn) 生了較高的電壓尖鋒 ,且 V2 值越高 ,其尖峰越高。在 V2 升至 一定值時(shí) ,其尖峰值甚至高至使 IGB T 導(dǎo)通的程度 ,從而產(chǎn)生 同一橋臂的共導(dǎo) ,使 IGB T 失效 ,無法正常工作。值得注意的 是 ,富士、三菱等公司的驅(qū)動厚膜電路 ,為防止保護(hù)誤動作 ,均 設(shè)有一定的保護(hù)盲區(qū)。所以在上述電路參數(shù)的試驗(yàn)中 ,由于尖 峰較窄 ,共導(dǎo)時(shí)間很短 ,保護(hù)電路無法動作 ,使 IGB T 多次受過 電流沖擊而失效。 由于所選參數(shù)無法使 IGB T 正常工作 ,故此電路參數(shù)根本 不能進(jìn)入運(yùn)行試驗(yàn)。 (2) 驅(qū)動較快 ,吸收較輕 ,驅(qū)動負(fù)壓較大 RG、RX、CX 的取值同(1) ,使 IGB T 的 GE 間波形的負(fù)電壓 增大。試驗(yàn)步驟同上。觀察 IGB T 的 GE 間波形 ,其在另一只 管子開通時(shí)的尖峰值雖然絕對值未小 ,但由于驅(qū)動負(fù)壓增大 , 使其值下降 ,不時(shí)出現(xiàn)較高的尖峰。雖然 IGB T 可工作 ,但長 期運(yùn)行仍很不可靠 ,故也未對其進(jìn)行運(yùn)行試驗(yàn)。 (3) 驅(qū)動較快 ,吸收較重 ,驅(qū)動負(fù)壓較小 取 RG 值較小、RX 值較小、CX 值較大 ,試驗(yàn)步驟同 (1) 。 IGB T 的 GE 間波形在 V2 升至額定值后 ,其同一橋臂的另一只 管子開通造成的尖峰很小 , IGB T 可正常工作 ,對此電路參數(shù) 進(jìn)行了運(yùn)行試驗(yàn)。 (4) 驅(qū)動較慢 ,吸收較輕 ,驅(qū)動負(fù)壓較大 取 RG 值較大、RX 值較大、CX 值較小。試驗(yàn)步驟同 (1) 。 IGB T 的 GE 間波形在 V2 增加至額定值后 ,其尖峰仍能保證在 0 V 以下 ,IGB T 可正常工作 ,對其進(jìn)行了運(yùn)行試驗(yàn)。 2. 不同參數(shù)對 IGB T 失效的影響 在上述所進(jìn)行的各種參數(shù)的試驗(yàn)中 ,我們發(fā)現(xiàn) ,(1) 所用參 數(shù) IGB T 必然失效 ; (2) 所用參數(shù) ,雖然 IGB T 可以工作 ,但也 存在使 IGB T 失效的危險(xiǎn) ; (3) 所用參數(shù)在運(yùn)行試驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)其 吸收電阻 RX 非常熱 ,且在運(yùn)行期 IGB T 失效比較頻繁 ; (4) 所 用參數(shù)