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產(chǎn)品名稱: 英飛凌IGBT模塊 FF400R12KE3 400A 1200V
產(chǎn)品類型: 英飛凌IGBT
產(chǎn)品型號: FF400R12KE3
發(fā)布時間: 2018-09-30
- 產(chǎn)品描述
詳細參數(shù)
制造商: 英飛凌
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1.2 kV
集電極射極飽和電壓: 2.15 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 580 A
柵極射極漏泄電流: 400 nA
功率耗散: 2 kW
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
高度: 30.9 mm
長度: 106.4 mm
寬度: 61.4 mm
柵極發(fā)射極最大電壓: 20 V
包裝數(shù)量: 10只
軌到軌輸出和門極-發(fā)射極電壓箝位
CONCEPT SCALE-2驅(qū)動器使用N溝道輸出級，下中所示。在功率半導體門極輸入充電完成后，N溝道MOSFET上的電壓降幾乎為零。
因此，SCALE-2驅(qū)動器具有軌到軌的輸出功能。軌到軌輸出在驅(qū)動功率半導體時有多種優(yōu)勢。第一個優(yōu)勢是VISOx電壓可以被穩(wěn)定在+15V。
使用肖特基二極管（下圖中的D5），門極電壓可被箝位在穩(wěn)定的+15V。這樣可避免門極電壓升高，從而降低IGBT短路電流Isc和能量，因為前者高度依賴于門極-發(fā)射極電壓Vge。
此處所述的門極箝位比使用瞬態(tài)抑制二極管的門極箝位更高效。后者在IGBT短路時不能將門極電壓限制在15V，因為考慮到元件的誤差和溫度特性，以避免TVS產(chǎn)生靜態(tài)導通并由此使Vge=15V過載，所以箝位電壓的設置需要留出裕量。
第二個優(yōu)勢是在驅(qū)動器關斷時防止功率半導體的寄生導通現(xiàn)象。在那種情況下，功率半導體上的門極-發(fā)射極電壓為零，如果集電極-發(fā)射極電壓Vce按給定的dVce/dt升高，則電流Ig會通過密勒電容CMiller流進門極回路。
在下圖中使用D5后，電流Ig將會向支撐電容C12和C22充電。C12和C22上的電壓通常在低位。因此，功率半導體無法發(fā)生寄生導通。此功能也可用于STO（安全轉(zhuǎn)矩工作）。
請注意，此處所述的門極-發(fā)射極箝位在2SC0108T驅(qū)動器上無法實現(xiàn)，因為VISOx無法從外部獲得。此時應使用TVS進行門極-發(fā)射極箝位。
測量程序
未接入DUT時，將電容表設定為規(guī)定的頻率。分別設定溫度、柵極－發(fā)射極電壓VGE和集電極－發(fā)射極電壓VCE為規(guī)定值。電容Cies能在電容表上讀出。
規(guī)定條件：
.環(huán)境溫度Ta、管殼溫度Tc或結(jié)溫Tj；
.集電極－發(fā)射極電壓VCE；
.柵極－發(fā)射極電壓VGE；
.測量頻率f
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