英飛凌igbt銷售
產(chǎn)品中心
最新資訊
聯(lián)系我們
產(chǎn)品名稱: 英飛凌IGBT模塊 FF1400R17IP4 1400A 1700V
產(chǎn)品類型: 英飛凌IGBT
產(chǎn)品型號(hào): FF1400R17IP4
發(fā)布時(shí)間: 2018-09-18
- 產(chǎn)品描述
詳細(xì)參數(shù)
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1700 V
集電極射極飽和電壓: 2.2 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 1400 A
柵極射極漏泄電流: 400 nA
功率耗散: 9.55 kW
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V
工廠包裝數(shù)量: 2只
IGBT的退飽和行為的介紹
IGBT的外特性的形狀實(shí)際上和三極管及MOSFET的外特性是相似的，在 IGBT的線性區(qū)，門極電壓與短路電流的關(guān)系是線性的。 IGBT退飽和行為，其字面的意思是“退出了飽和區(qū)”，實(shí)際就是“進(jìn)入線 性區(qū)”的另外一種說(shuō)法。 IGBT的電流如果持續(xù)增大，當(dāng)?shù)竭_(dá)某一個(gè)點(diǎn)（退飽和點(diǎn)）時(shí)，IGBT的 Vce會(huì)發(fā)生顯著變化，會(huì)在非常短的時(shí)間內(nèi)（例如幾百納秒內(nèi)）上升至 直流母線電壓。退飽和行為的標(biāo)志就是Vcesat上升至直流母線電壓。 Vcesat在飽和區(qū)內(nèi)的變化是非常微弱的，如果想利用飽和壓降的變化來(lái) 辨識(shí)IGBT的電流是很困難的，通常我們只辨識(shí)IGBT的退飽和行為。
- 其他產(chǎn)品
