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詳細參數(shù)

制造商: Infineon 

產(chǎn)品種類: IGBT 模塊 

配置: Dual 

集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1700 V 

集電極射極飽和電壓: 2.45 V 

25 C的連續(xù)集電極電流: 1390 A 

柵極射極漏泄電流: 400 nA 

功率耗散: 6.25 kW 

最小工作溫度: - 40 C 

最大工作溫度: + 150 C 

高度: 38 mm  

長度: 250 mm  

寬度: 89 mm  

柵極發(fā)射極最大電壓: +/- 20 V  

工廠包裝數(shù)量: 2只

一類短路

發(fā)生 類短路時 發(fā)生一類短路時，IGBT的電流會快速上升，當電流上升到一定數(shù)值 時，（一般為4倍額定電流）， IGBT會發(fā)生退飽和現(xiàn)象其標志，其標志 是IGBT的電壓會迅速上升至直流 母線電壓。 當IGBT退出飽和區(qū)后，IGBT的電 流為4倍額定電流（此倍數(shù)與芯片 類型有關），電壓為母線電壓，（ 外電路的所有電動勢都壓在IGBT 上），IGBT芯片的損耗非常大， 根據(jù)規(guī)格書，其最多能耐受10us的 短路狀態(tài)。驅(qū)動器需要在此時間內(nèi) Vce(sat) 檢測電路監(jiān)控 短路狀態(tài)。驅(qū)動器需要在此時間內(nèi) 把IGBT關掉，此時的關斷是完全安全的

二類短路

發(fā)生二類短路時 由于回路的電感量稍大，電流爬升的速度慢了一些 ，(比一類短路慢，但實際還是很 快的)，門極脈沖打開時，IGBT的 Vce下降至飽和壓降，隨著電流進 一步加大，飽和壓降輕微上升；當 電流到達“退飽和點”時，Vce迅速 上升至直流母線電壓，我們把Vce 上升的過程稱為“退飽和”行為。當 IGBT退出飽和區(qū)后，其損耗要比 未退飽和前高數(shù)百倍，因為Vce從 幾伏上升至幾百伏，而電流則沒有 明顯變化。從退飽和算起，10us內(nèi) 須關斷 Vce(sat) 檢測電路監(jiān)控 ，必 IGBT。 另外，還需要注意的是，當IGBT電流上升的過程中，Vge也在上升，這是一 種米勒效應，IGBT在短路時，門極電壓有被向上抬升的趨勢 門極電壓有被向上抬升的趨勢。