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產(chǎn)品名稱: 英飛凌IGBT模塊 BSM200GAL120DN2 200A 1200V
產(chǎn)品類型: 英飛凌IGBT
產(chǎn)品型號: BSM200GAL120DN2
發(fā)布時間: 2018-10-08
- 產(chǎn)品描述
詳細(xì)參數(shù)
制造商: 英飛凌
產(chǎn)品種類: IGBT 模塊
集電極發(fā)射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極射極飽和電壓: 2.5 V
在25 C的連續(xù)集電極電流: 290 A
柵極射極漏泄電流: 400 nA
功率耗散: 1.4 kW
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
高度: 30.9 mm
長度: 106.4 mm
寬度: 61.4 mm
柵極發(fā)射極最大電壓: 20 V
包裝數(shù)量: 10只
由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20～30V。
因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點：
在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分，當(dāng)必須要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸;在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時，
在配線未接好之前請先不要接上模塊; 盡量在底板良好接地的情況下操作。
在應(yīng)用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極最大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。
為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。
此外，在柵極—發(fā)射極間開路時，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。
這時，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。
眾所周知，變頻器在工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用非常廣泛，而目前，隨著節(jié)能環(huán)保理念逐漸成為一種趨勢的情況下，對變頻器提出了更高的要求。
基于對中國市場客戶需求的理解，英飛凌推出全新Advantage 系列IGBT產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品針對中國企業(yè)的需求，同時對產(chǎn)品性能和可靠性進(jìn)行了優(yōu)化，為中國變頻器廠家在不同場景下的差異化需求提供了高性價比的解決方案。
- 其他產(chǎn)品
