igbt功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動功率小，控制電路簡單，開關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點。實質(zhì)是個復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率mosfet的優(yōu)點于一體化。又因先進的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低，開關(guān)頻率高（可達20khz），這兩點非常顯著的特性，最近西門子公司又推出低飽和壓降（2.2v）的npt-igbt性能更佳，相繼東芝、富士、ir,摩托羅拉亦己在開發(fā)研制新品種。

igbt是先進的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、ups、開關(guān)電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎己替代一切其它功率器件，例scr.gto,gtr,mosfet,雙極型達林頓管等淚今功率可高達1mw的低頻應(yīng)用中，單個元件電壓可達4.okv（pt結(jié)構(gòu)）一6.5kv（npt結(jié)構(gòu)），電流可達1.5ka,是較為理想的功率模塊。