如何選擇IGBT的門極驅動電阻？

IGBT的開關特性是通過對門極電容進行充放電來控制的，實際應用中經常使用＋15V的正電壓對IGBT進行開通，再由-5V…-8V…-15V的負電壓進行關斷。門極電容的充放電速度可以通過控制門極電阻來實現，所以我們可以通過門極電阻來調整IGBT開關的動態(tài)特性，如圖1所示。

圖1  IGBT門極控制示意圖

       門極電阻可以影響IGBT的開關時間、開關損耗、反偏安全工作區(qū)（RBSOA）、短路安全工作區(qū)（SCSOA）、EMI、dv/dt、di/dt和續(xù)流二極管的反向恢復電流等。所以需要根據不同的應用條件謹慎地選擇最優(yōu)門極電阻，比如不同的IGBT芯片特性、二極管特性、開關頻率、損耗要求、系統(tǒng)雜散電感、直流母線電壓和驅動能力等，一個完整的IGBT門極電阻選型需要綜合考慮以上各種因素。（英飛凌igbt廠家）