英飛凌半導(dǎo)體公司都有哪些芯片產(chǎn)品？

英飛凌（Infineon）這家總部位于德國的半導(dǎo)體公司可能遠不如英特爾或者三星這樣的芯片商有名，那是因為他的產(chǎn)品主要服務(wù)于工業(yè)，而非手機、電腦這樣大眾熟知的日用消費品。但在業(yè)內(nèi)，這家由之前西門子單獨分出來的半導(dǎo)體企業(yè)的地位絕對無可替代。

英飛凌的主要領(lǐng)域包括汽車電子、電源管理等等。我就隨便舉幾個我熟悉的電源領(lǐng)域里英飛凌領(lǐng)先的產(chǎn)品吧。

在功率半導(dǎo)體里，600V/650V級別的MOSFET是各家功率半導(dǎo)體生產(chǎn)商競爭的熱點。比如同樣來自歐洲的法意半導(dǎo)體（ST Microelectronics）就是英飛凌的強勁對手。而英飛凌總能通過推出新的產(chǎn)品占據(jù)技術(shù)上的優(yōu)勢地位。如果說如今的大功率MOSFET里，使用superjunction技術(shù)已經(jīng)是各家都有，但英飛凌CoolMOS系列把superjunction技術(shù)用到最好的典范。在最新一代G7系列的MOSFET中，我們看比如IPT65R033G7這只芯片。下面是它的datasheet。

不僅在650V電壓級別的MOSFET里實現(xiàn)了導(dǎo)通電阻的新低——33mOhm，而且更關(guān)鍵的是，英飛凌在封裝上展現(xiàn)了他們領(lǐng)先于其他生產(chǎn)商的理解能力：這個新式TO-Leadless的封裝的外部長寬基本和傳統(tǒng)的DPAK差不多，但厚度上它只有2.4mm，而且去掉了DPAK封裝里的長引腳！對電源設(shè)計者來說，引腳帶來的寄生電感是帶來許多過壓、震蕩以及電磁兼容問題的元兇，減少封裝帶來的寄生電感是減少這些問題的關(guān)鍵。而英飛凌明白了這一點。另外，新封裝里，眾多源極的引腳中，有一只專門用來配柵極的！這讓柵極電路獨立于功率電路，極大減少了功率電路中電流通過時帶來的寄生現(xiàn)象！

此外，在近些年興起的、大有在未來取代硅基半導(dǎo)體元件的寬禁帶半導(dǎo)體元件（主要是碳化硅SiC和氮化鎵GaN的元件）上，英飛凌也不落后。英飛凌已經(jīng)有1200V級別的SiC MOSFET功率模塊、幾個系列的650V級別的SiC二極管。比如下面這只1200V/100A的功率模塊。

在GaN元件上，英飛凌已經(jīng)有實驗性的650V級別GaN FET，已經(jīng)和一些工業(yè)廠家展開合作，但還沒正式推向市場。等英飛凌的GaN FET進入市場，可能也會挑戰(zhàn)目前這一領(lǐng)域中GaN Systems公司絕對的霸主地位。

可以看出，至少在功率半導(dǎo)體的芯片上，英飛凌還是有領(lǐng)先優(yōu)勢的。（英飛凌igbt廠家）