電力MOSFET和IGBT開通關(guān)斷過程內(nèi)部載流子運動狀況？

mosfet的開通，簡單來講，當(dāng)在gate上加電壓，gate電位上升超過vt，靠近gate的p型body被反形成n型channel，source和drain之間有一條襯底n+到n 外延層，到n channel再到n+的通路。n型通路里的多子，也就是電子，在電場作用下流動形成電流。關(guān)斷時，gate上電勢下降，channel消失，電子電流切斷。漂移區(qū)電子在pn junction的內(nèi)建電場下掃出漂移區(qū)。

igbt比較復(fù)雜，開通時，可以簡單看成是頂部mosfet和一個pnp三極管的組合，其中pnp由p body，n 漂移區(qū)和p+ 集電極組成。mosfet的drain接到pnp的n。和mosfet一樣，開通時channel形成，形成了n漂移區(qū)到n channel再到n+的通路。在電場下有由n漂移區(qū)到發(fā)射極的電子電流。這個電子電流相當(dāng)于pnp三極管的基極電流，它觸發(fā)了由p+和n漂移區(qū)之間的大注入，大量空穴由p+注進(jìn)漂移區(qū)，在電場作用下空穴經(jīng)過漂移區(qū)到頂部發(fā)射極。關(guān)斷時，channel消失，漂移區(qū)的電子電流消失，空穴停止注入。然后滯留在漂移區(qū)的多余空穴在電場和復(fù)合作用下消失，該過程一般較長。（英飛凌igbt廠家）