IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

電磁爐IGBT損壞八大原因
在電磁爐中,IGBT是一個(gè)損壞占有率很大,在沒(méi)有查明故障原因的 時(shí)候就試機(jī),回引起IGBT在次損壞在電磁爐的維修中,經(jīng)過(guò)不端的終結(jié),歸納出電磁爐的八大原因。

原因1、0.3UF電容失效,或漏電, 和400V電容 容量變小的時(shí)候,將導(dǎo)致電磁爐,LC震蕩電路頻率偏高
從而引起IGBT損壞。經(jīng)檢查其他元件無(wú)問(wèn)題的時(shí)候 ,更換0.3UF 和400V電容。
原因2、IGBT管激勵(lì)電路異常,
震蕩電路輸出的脈沖信號(hào),不能直接控制IGBT 飽和,導(dǎo)通 和截止,必須通過(guò)激勵(lì)脈沖信號(hào)放大來(lái)完成。如果激勵(lì)信號(hào)出現(xiàn)問(wèn)題,高電壓就回加到IGBT管的G級(jí),導(dǎo)致IGBT瞬間擊穿,損壞,常見(jiàn)的有驅(qū)動(dòng)管S8050和S8550。
原因3、同步電路異常,同步電路在電磁爐中的主要作用是保證加到IGBT管G級(jí)上的開(kāi)關(guān)脈沖前言與IGBT管上VCE脈沖后延同步當(dāng)同步電路工作出現(xiàn)異樣,導(dǎo)致IGBT管瞬間擊穿。
原因4、18V工作電壓異常,在電磁爐中18V電壓出現(xiàn)時(shí),會(huì)使IGBT管激勵(lì)電路,風(fēng)扇散熱系統(tǒng)及LM339工作失常導(dǎo)致IGBT上電瞬間損壞。
原因5、散熱系統(tǒng)異常。電磁爐工作在大電流狀態(tài)下,其發(fā)熱量也大,如果散熱系統(tǒng)出現(xiàn)異常,會(huì)導(dǎo)致IGBT過(guò)熱損壞。
原因6、單片機(jī)異常。單片機(jī)內(nèi)部會(huì)因?yàn)楣ぷ黝l率異常而燒毀IGBT。
原因7、VCE檢測(cè)電路異常。VCE檢測(cè)電磁爐將IGBT官集電極上的脈沖電壓通過(guò),電阻分壓,取樣獲得去=取樣電壓,此電壓的信息變化傳到CPU,CPU監(jiān)測(cè)電壓的變化,做出各種相應(yīng)的指令,當(dāng)VCE檢測(cè)電路出現(xiàn)故障的時(shí)候,VEC脈沖幅度。超過(guò)IGBT管的極限值,從而導(dǎo)致IGBT損壞。用戶鍋具變形,或鍋低凸起不平,在鍋低產(chǎn)生的渦流,不能均勻的使變形的鍋具加熱,從而使鍋具溫度傳感器,檢溫失常,CPU因檢測(cè)不到,異常溫度信號(hào),而繼續(xù)加熱,導(dǎo)致IGBT損壞。
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