新聞中心

IGBT元件的短路和過電壓保護(hù)

編輯 : 深圳逸盛通科技有限公司 時間 : 2018-09-16 18:52 瀏覽量 : 153: 有關(guān)短路和過電壓保護(hù)的流程圖：
沒有附加保護(hù)裝置的 10μs 短路 SOA 操作。
短路（超負(fù)荷）原因和電流檢測
原因電流傳感器
變頻器側(cè) 電流互感器CT
元件破壞、控制電路異常、外殼接地（分為AC、DC、高頻用）
負(fù)載側(cè) 分流電阻
負(fù)荷異常、相間短路、接地電流測量集成電路
由于元件破壞、控制電路異常（空載時間不足）而引起的橋臂短路電流范例：
由于相間短路引起的短路電流范例：
由于接地引起的短路電流范例（①或②的某一個有電流流動）：
短路電流關(guān)斷時的C-E間過電壓：
相間（負(fù)載）短路時，會流動非常大的電流，其電流值由電源電容器的ESR和IGBT的增益而決定。發(fā)生功率大幅度劇增，如果不在10μs以內(nèi)關(guān)斷，就會損壞IGBT。此時還會發(fā)生浪涌電壓，其電壓值為集電極及發(fā)射極分布電感Ls與-di/dt之積。即使Ls為0.1μH，如果-di/dt為2,000A/μs，此電壓為200V。為了降低-di/dt，需要緩慢地關(guān)斷IGBT（軟關(guān)斷）。當(dāng)然，配線時應(yīng)注意盡可能讓殘留電感最小。
另外，IGBT從飽和狀態(tài)向不飽和狀態(tài)移動時，集電極的電位上升。因此，門極也由于反向傳輸電容而導(dǎo)致門極電位上升。這有進(jìn)一步增強(qiáng)集電極電流的作用，還有導(dǎo)致門極破壞的危險(xiǎn)，因此建議在門極-發(fā)射極之間加入穩(wěn)壓二極管和電阻。

上一篇：Concept SCALE-2 IGBT模塊驅(qū)動芯片組功能介紹下一篇：碳化硅IGBT結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及應(yīng)用

相關(guān)新聞

IGBT的幾大檢測方法 03-19
MOS管和IGBT模塊的測試方法 01-15
變壓器隔離全橋IGBT驅(qū)動電路設(shè)計(jì) 12-24
IGBT的主要I-V特性 12-20
IGBT的結(jié)構(gòu)和原理 12-19
IGBT的封裝失效機(jī)理 12-18
單電源IGBT驅(qū)動電路設(shè)計(jì) 11-12
簡單易懂的IGBT驅(qū)動電路 11-07
英飛凌IGBT芯片技術(shù)及選型 11-04
用于輕型牽引車中儲能系統(tǒng)的半導(dǎo)體解決方案介紹 11-03

IGBT元件的短路和過電壓保護(hù)

有關(guān)短路和過電壓保護(hù)的流程圖：